TGA2578 时间：2025/8/16 2:36:09 阅读：6

TGA2578 是一款由 Toshiba（东芝）公司生产的射频功率晶体管，属于 GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET）类型，主要用于射频（RF）放大器和通信设备中的功率放大应用。该器件设计用于在高频率范围内提供高线性度和高输出功率，适用于无线基础设施、基站、工业设备和测试仪器等应用。TGA2578 采用高可靠性的塑料封装，具有良好的散热性能和环境适应能力，是一款广泛应用于射频功率放大领域的经典器件。

参数

工作频率范围：2.3 GHz 至 2.7 GHz
　　输出功率：典型值 10 W（在 2.5 GHz 时）
　　增益：典型值 12 dB（在 2.5 GHz 时）
　　漏极电压（Vd）：最大 28 V
　　栅极电压（Vg）：-2.5 V（典型工作点）
　　工作电流（Id）：典型值 600 mA
　　封装类型：SMD（表面贴装）陶瓷封装
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

TGA2578 是一款高性能 GaAs FET 射频功率晶体管，具有高输出功率、高增益和良好的线性度。其工作频率范围覆盖 2.3 GHz 至 2.7 GHz，非常适合用于 2.5 GHz 附近的频段应用，例如 WiMAX、LTE 和其他无线通信系统中的功率放大器设计。
　　该器件采用 GaAs 技术制造，具有较高的电子迁移率和较低的寄生电容，从而实现了优异的高频性能。TGA2578 在 2.5 GHz 频率下可提供高达 10 W 的典型输出功率，并具有约 12 dB 的增益，能够在较少的级数下实现高效的功率放大，降低了系统设计的复杂性。
　　此外，TGA2578 采用陶瓷封装，具有良好的热导性能，能够在较高的工作温度下稳定运行。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适应工业级环境要求。器件内部设计有输入和输出匹配电路，简化了外部电路的设计需求，减少了外围元件的使用，提高了系统的集成度和可靠性。
　　由于其高线性度和低失真特性，TGA2578 非常适合用于需要高质量信号放大的应用场景，例如无线基站、测试仪器和工业控制系统等。其高效率和高稳定性也使其成为射频放大器设计中的一种优选器件。