时间：2025/8/16 7:04:56
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TGA2573-2-TS 是一款由 Texas Instruments（德州仪器）制造的 GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET），适用于高频和微波应用。这款器件设计用于在 0.5 GHz 至 6 GHz 的频率范围内工作，具备高线性度和增益性能，适合用于无线通信系统中的功率放大器或低噪声放大器。
类型：GaAs FET
封装类型：表面贴装
频率范围：0.5 GHz 至 6 GHz
增益：典型值为 14 dB
输出功率：典型值为 30 dBm
电源电压：12 V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
TGA2573-2-TS 具备高线性度和良好的热稳定性，能够在宽温度范围内保持稳定的性能。其内部设计优化了高频信号的处理能力，减少了失真，并提高了放大器的整体效率。该器件的封装设计适用于自动装配流程，提高了生产效率和可靠性。此外，TGA2573-2-TS 还具备出色的抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中稳定工作。
该器件的输入和输出端口经过优化，支持50欧姆的系统阻抗匹配，确保信号传输的高效性。其内部结构采用了先进的GaAs工艺技术，提供了高电子迁移率和低噪声系数，使得该器件在高性能射频系统中表现出色。同时，TGA2573-2-TS 的设计考虑了热管理和功耗控制，确保在高功率操作时的稳定性和长寿命。
TGA2573-2-TS 主要应用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、微波链路、测试设备和射频功率放大器模块。此外，它也适用于工业和科学设备中的高频信号处理任务。
TGA2573-2-SM, TGA2573-2-DS, TGA2573-2-SR
