TGA15N120ND 时间：2025/12/29 14:40:59 阅读：13

TGA15N120ND 是一款由东芝（Toshiba）生产的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流的应用场合。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，提供了优异的导通性能和快速的开关特性。TGA15N120ND 具有1200V的漏源击穿电压（Vds）和15A的连续漏极电流（Id），适用于工业电源、电机控制、逆变器和电源转换系统等高压高功率应用场景。

参数

型号：TGA15N120ND
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：1200V
　　最大漏极电流（Id）：15A（连续）
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大功耗（Ptot）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.85Ω

特性

TGA15N120ND MOSFET具有多项卓越特性，包括高击穿电压、低导通电阻和优异的热稳定性。其1200V的漏源电压能力使其适用于高电压工作环境，如工业电源和逆变器设计。此外，该器件采用先进的沟槽栅极技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。
　　在开关特性方面，TGA15N120ND 提供快速的上升和下降时间，有助于减少开关损耗，并在高频操作中保持良好的性能。这种MOSFET还具有良好的抗雪崩能力，能够在过电压和瞬态条件下保持稳定运行，提高了系统的可靠性和耐用性。
　　该器件的TO-247封装设计不仅提供了良好的散热性能，还便于在PCB上安装和连接，适用于各种功率电子设备的设计。TGA15N120ND 的高栅极阈值电压确保了在复杂电磁环境中仍能稳定工作的能力，使其成为工业自动化和电源管理系统的理想选择。

应用

TGA15N120ND MOSFET广泛应用于需要高电压和高功率处理能力的电子系统中。例如，在工业电源系统中，该器件用于整流器、DC-DC转换器和AC-DC电源模块的设计，以提高能源转换效率和系统稳定性。在电机控制领域，TGA15N120ND 可用于电动机驱动器和变频器，实现高效的电机调速和精确控制。
　　此外，该MOSFET还常用于太阳能逆变器和储能系统中，负责将直流电转换为交流电以供家庭或电网使用。其高击穿电压和良好的热管理能力使其在这些高温和高压环境中依然保持稳定性能。
　　在电动汽车和充电桩应用中，TGA15N120ND 也可作为功率开关元件，用于电池管理系统和车载充电器，以实现高效能量传输和安全操作。