TG2-501M 时间：2025/12/27 11:25:46 阅读：11

TG2-501M是一款高性能的射频功率晶体管，专为高频率、高功率应用环境设计。该器件通常用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量系统中，例如射频加热、等离子体生成以及射频激励源等应用场景。TG2-501M基于先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，具有优异的功率增益、效率和热稳定性，适用于连续波（CW）和脉冲模式下的高功率放大。该器件采用陶瓷封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，能够在高温和高负载环境下长期稳定运行。其设计符合国际射频功率器件的可靠性标准，广泛应用于需要高能效和高可靠性的射频系统中。
　　该晶体管的工作频率范围覆盖了多个ISM频段，包括13.56 MHz、27.12 MHz和40.68 MHz等常用频率，使其在多种工业加热和材料处理设备中具有广泛的适用性。TG2-501M支持高电压操作，通常在28V或50V的漏极电压下工作，能够提供高达500W的输出功率，满足大功率射频放大的需求。此外，该器件还具备良好的输入匹配特性，便于集成到现有的射频电路中，减少外部匹配网络的复杂性。

参数

制造商：Cree / Wolfspeed
　　产品类型：射频功率LDMOS晶体管
　　技术类型：LDMOS
　　工作频率：DC至500 MHz
　　输出功率：500W
　　漏极电压（Vd）：50V
　　栅极电压（Vgs）：-3V 至 +2V
　　增益：典型值22dB（在40.68MHz）
　　效率：典型值70%
　　输入驻波比（VSWR）：典型值1.5:1
　　封装类型：陶瓷金属封装（Ceramic Metal Package）
　　安装类型：通孔安装
　　热阻（Rth）：0.15°C/W
　　最大结温（Tj）：225°C

特性

TG2-501M的核心优势在于其基于第三代硅基LDMOS技术的结构设计，这种技术在高频大功率条件下表现出卓越的载流子迁移率和击穿电压特性，从而实现了高输出功率与高效率的完美结合。该器件在40.68 MHz等典型ISM频段下，能够持续输出500W的射频功率，同时保持超过70%的功率附加效率（PAE），显著降低了系统的能耗和散热负担。其高增益特性（典型值22dB）减少了对前级驱动级的要求，简化了整体射频链路的设计复杂度。
　　在热管理方面，TG2-501M采用低热阻的陶瓷金属封装，热阻仅为0.15°C/W，配合高效的散热器可确保器件在长时间满负荷运行下的温度稳定。其最大结温可达225°C，远高于传统双极型晶体管，展现出优异的热可靠性。此外，该器件具备出色的抗失配能力，在输出端口存在较高驻波比（VSWR = 10:1）的情况下仍能安全运行，无需额外的保护电路，提升了系统在恶劣工况下的鲁棒性。
　　TG2-501M的输入和输出阻抗经过优化设计，便于与50欧姆系统直接匹配，减少了外部匹配元件的数量，提高了系统的紧凑性和可靠性。其栅极结构具备良好的静电放电（ESD）防护能力，增强了生产装配过程中的耐用性。器件还通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和功率循环测试，确保在工业级严苛环境中长期稳定运行。

应用

TG2-501M广泛应用于各类高功率射频能量系统中。在工业加热领域，它被用于感应加热设备，如金属熔炼、热处理和焊接系统，利用其在13.56 MHz或27.12 MHz频段下的高效功率输出实现精确控温和快速加热。在等离子体生成系统中，例如半导体制造中的等离子体刻蚀或清洗设备，该器件作为射频激励源提供稳定的高能射频信号，确保等离子体的稳定维持。此外，在医疗设备中，如射频消融仪，TG2-501M可用于产生治疗所需的射频能量，具备高精度和高安全性的特点。
　　该器件也适用于科研领域的高功率射频实验装置，如粒子加速器的射频源模块或高能物理实验中的射频放大系统。在通信领域，虽然其主要定位非通信用途，但在某些特殊的大功率HF/VHF发射机中也可作为末级功率放大器使用。由于其宽频带特性和高可靠性，TG2-501M还被用于电磁兼容（EMC）测试中的干扰信号发生器，用于模拟高强度电磁环境。总之，任何需要高功率、高效率、高稳定性的射频放大场景，都是TG2-501M的理想应用领域。