类型：功率MOSFET
　　漏极电流（Id）：110A
　　漏极-源极电压（Vds）：55V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　安装类型：表面贴装
　　功率耗散（Pd）：160W
　　栅极电荷（Qg）：70nC
　　输入电容（Ciss）：1900pF

TG110-S055N2LFTR具有多个关键特性，使其在高性能功率应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为5.5mΩ，使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体效率。
　　其次，该器件支持高达110A的连续漏极电流，非常适合高功率密度的设计需求。
　　此外，TG110-S055N2LFTR采用先进的封装技术，具备良好的热性能，能够有效地将热量从芯片传导到散热器或PCB上，从而延长器件的使用寿命并提升系统的可靠性。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至175°C，适用于严苛的环境条件，例如工业自动化、汽车电子和可再生能源系统等。
　　其栅极驱动特性优化，能够减少开关损耗，并与常见的驱动IC兼容，简化了设计流程。
　　最后，TG110-S055N2LFTR符合RoHS环保标准，适合无铅生产工艺，符合现代电子产品对环保的要求。

TG110-S055N2LFTR广泛应用于多种高功率和高频开关系统中。
　　在电源管理系统中，它常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，以提高转换效率并减小系统尺寸。
　　在电机控制领域，该MOSFET可用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机（BLDC），提供高效的功率输出和精确的控制能力。
　　此外，TG110-S055N2LFTR也适用于功率因数校正（PFC）电路，帮助提高电源系统的功率因数，减少谐波失真。
　　在汽车电子方面，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）等关键应用。
　　由于其高可靠性和耐高温特性，TG110-S055N2LFTR也适用于太阳能逆变器、储能系统和工业自动化设备等工业控制领域。
　　总之，TG110-S055N2LFTR凭借其高性能和多功能性，广泛应用于现代电子系统中。

SiS110N05P、IPB110N05N、FDBL110N05A、FDMS86180、BSC110N05LS5