型号：TFZVTR9.1B
　　封装类型：SOD-523
　　齐纳电压(Vz)：9.1V @ 5mA
　　容差：±2%
　　最大耗散功率：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　结温(Tj)：+150°C
　　测试电流(Iz)：5mA
　　最大反向漏电流(IR)：1μA @ 6V
　　动态阻抗(Zzt)：15Ω @ 1kHz
　　温度系数：+6mV/°C (典型值)
　　引脚数：2
　　安装方式：表面贴装(SMT)

TFZVTR9.1B具备优异的电压稳定性和温度特性，其±2%的电压容差确保在批量生产中保持一致的性能表现，特别适用于需要精密电压参考的应用场合。该器件在5mA测试电流下具有9.1V的精确齐纳电压，结合较低的动态阻抗（约15Ω），能够有效抑制电压波动，提供良好的稳压效果。其温度系数为+6mV/°C，在常见齐纳电压范围内表现出相对平坦的温度响应曲线，减少了因环境温度变化引起的电压漂移，提升了系统长期工作的可靠性。SOD-523封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，使器件能在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，满足严苛工业与汽车应用的需求。此外，该齐纳二极管具有低反向漏电流（最大1μA @ 6V），在待机或低功耗模式下几乎不消耗额外电流，有助于提高整体能效。器件的200mW功率耗散能力虽适中，但在合理布局和适当散热条件下足以应对瞬态过压事件，常用于ESD保护、I/O端口钳位及ADC参考电压源等场景。ROHM对TFZVTR9.1B实施严格的品质管控，产品通过AEC-Q101认证，表明其在高温高湿、热循环、机械振动等恶劣环境下仍能保持稳定性能，适用于车载传感器、ECU模块、电池管理系统等关键部位。同时，该器件无铅且符合RoHS指令要求，支持绿色环保制造流程，便于自动化贴片生产，提升组装效率。
　　

TFZVTR9.1B广泛应用于需要稳定电压参考的小信号电路中，例如在模拟前端设计中作为ADC或DAC的参考电压源，提供精确的基准电平以保证数据转换精度。在电源管理单元中，它可用于低压检测电路或复位信号生成，当主电源电压下降至阈值以下时触发系统复位，防止微控制器误操作。由于其快速响应特性和良好的瞬态抑制能力，该器件也常被用作接口保护元件，如USB、I2C、UART等通信线路的过压防护，防止静电放电（ESD）或意外高压损坏后级IC。在汽车电子领域，TFZVTR9.1B可用于车身控制模块、仪表盘显示驱动、灯光控制系统中的稳压与钳位功能，确保在车辆点火瞬间或负载突变时电路仍能正常运行。此外，在工业传感器信号调理电路中，它可以作为偏置电压源或限幅器，提高信号链的线性度和抗干扰能力。消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，该器件凭借其微型封装和低功耗特性，常用于电池电压监测、充电管理电路或音频信号处理路径中的电平调整。在物联网设备和无线传感器节点中，TFZVTR9.1B有助于构建低功耗、高可靠性的电源架构，延长设备续航时间并增强环境适应性。