时间:2025/11/8 9:38:10
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TFZVTR8.2B是一款由Taiwan Semiconductor(台湾半导体)生产的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),专为精密电压参考和稳压应用设计。该器件采用SOD-323封装,具有小型化、低功耗和高稳定性的特点,适用于便携式电子设备、电源管理电路以及信号调理电路中。TFZVTR8.2B的标称齐纳电压为8.2V,在规定的测试电流下能够提供稳定的反向击穿电压,确保系统在波动电压环境下仍能可靠运行。该器件经过优化设计,具备良好的温度稳定性和动态阻抗特性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。此外,其快速响应能力和低噪声输出使其非常适合用于模拟前端保护、ADC参考电压源以及反馈控制环路中的电压箝位功能。由于采用了先进的制造工艺,TFZVTR8.2B还表现出优异的长期可靠性与批次一致性,满足工业级和消费类电子产品的严苛要求。
类型:齐纳二极管
封装/包装:SOD-323
标称齐纳电压:8.2V
容差:±2%
最大耗散功率:200mW
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
测试电流 (IZT):5mA
最大反向漏电流:1μA @ VR=6.56V
动态阻抗 (Zzt):20Ω max @ IZT=5mA
温度系数:+4.0 mV/°C typ
TFZVTR8.2B齐纳二极管具备出色的电压稳定性和温度特性,能够在多种工作条件下维持精确的参考电压输出。其±2%的电压容差确保了在批量生产中的一致性,减少了校准需求,提高了系统整体的可靠性。该器件在5mA的测试电流下工作,典型动态阻抗低至20Ω,这意味着即使负载电流发生微小变化,输出电压也能保持高度稳定,有效抑制纹波和噪声干扰。这种低动态阻抗特性特别适合应用于高精度模拟电路中,例如运算放大器的偏置电压设置、模数转换器(ADC)或数模转换器(DAC)的基准电压源等场景。
该器件采用SOD-323小型表面贴装封装,占用PCB面积极小,非常适合空间受限的便携式电子产品,如智能手机、可穿戴设备和物联网传感器节点。尽管体积小巧,但其最大功耗可达200mW,足以应对大多数低功耗稳压和钳位任务。同时,它拥有宽达-55°C至150°C的工作结温范围,可在极端环境温度下稳定运行,适用于工业自动化、汽车电子和户外通信设备等严苛应用场景。
TFZVTR8.2B还具有较低的反向漏电流,在未达到击穿电压前几乎不导通,从而减少待机状态下的能耗。其正温度系数约为+4.0 mV/°C,在高温环境下电压略有上升,设计时可通过外部补偿网络进行修正以实现更佳的温漂控制。整体而言,这款齐纳二极管结合了高精度、小尺寸和高可靠性,是现代电子系统中理想的电压参考解决方案之一。
广泛应用于便携式电子设备中的电压参考与稳压电路;用于电源管理系统中的过压保护和电压钳位;作为模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC)的基准电压源;在工业控制与自动化系统中提供稳定的偏置电压;适用于传感器信号调理电路中的电平设定;可用于LED驱动与电池充电管理模块中的反馈控制环路;也常见于消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能手表中的小型化设计。
MMBZ5237B-7-F,MCP1541T-8.2-E/MC,DFZ8.2BS