时间：2025/11/7 20:47:46
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TFZVTR4.7B是一款由东芝（Toshiba）生产的表面贴装型瞬态电压抑制二极管（TVS二极管），主要用于保护敏感的电子电路免受瞬态过电压事件的影响，例如静电放电（ESD）、电感负载切换引起的电压尖峰以及雷击感应等。该器件属于齐纳二极管的一种特殊应用类型，具有快速响应时间、高浪涌吸收能力和低钳位电压等优点，适用于各种需要高可靠性和紧凑封装设计的应用场景。TFZVTR4.7B采用小型化的SOD-962封装（也称为UMC5或DF2B），这种超薄且占板面积小的封装形式非常适合空间受限的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端等。
该TVS二极管的工作电压为4.7V，意味着其标称齐纳击穿电压约为4.7V，在正常工作条件下呈现高阻抗状态，不会对电路造成影响；当线路中出现超过其击穿电压的瞬态电压时，器件迅速进入雪崩击穿状态，将电压钳制在安全范围内，并将多余的能量通过地线泄放，从而保护后级电路元件不受损害。由于其双向结构设计，TFZVTR4.7B能够同时抑制正向和负向的瞬态电压脉冲，增强了其在复杂电磁环境下的适应能力。此外，该器件符合RoHS环保要求，并具备良好的焊接可靠性和长期稳定性，适合自动化贴片生产流程。
器件型号：TFZVTR4.7B
封装类型：SOD-962 (UMC5)
极性：双向
击穿电压（V_BR）：最小 5.22V，典型 5.5V，最大 5.78V
工作电压（V_WM）：4.7V
最大钳位电压（V_C）：9.2V @ I_PP = 1A
峰值脉冲电流（I_PP）：3.5A
峰值脉冲功率（P_PK）：300W（8/20μs波形）
漏电流（I_R）：小于 1μA @ V_R = 3.8V
响应时间：小于 1ns
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
TFZVTR4.7B作为一款高性能的双向TVS二极管，具备卓越的瞬态电压抑制能力，能够在纳秒级时间内响应突发的过电压事件，有效防止静电放电（ESD）对下游集成电路造成的损伤。其核心优势之一是采用了先进的半导体制造工艺，确保了器件在多次承受高能量浪涌冲击后仍能保持稳定的电气性能，不会发生老化或性能退化现象。该TVS二极管的低动态电阻特性使其在导通状态下能够维持较低的钳位电压，即使在3.5A的峰值脉冲电流下，钳位电压也仅为9.2V，这显著降低了被保护器件所承受的实际应力水平，提高了系统整体的可靠性。
另一个关键特性是其双向对称的电压-电流特性曲线，使得TFZVTR4.7B可以同时应对正向和负向的瞬态干扰，特别适用于交流信号线路或可能遭遇反向电压冲击的直流电路中。这种设计避免了使用两个单向TVS的复杂布线，简化了PCB布局并节省了空间成本。SOD-962超小型封装不仅提供了出色的热循环耐久性和机械强度，还支持回流焊和波峰焊等多种贴装工艺，兼容现代SMT生产线。此外，该器件具有极低的漏电流（小于1μA），在待机或低功耗模式下几乎不产生额外功耗，有利于延长电池供电设备的续航时间。
从系统级防护角度看，TFZVTR4.7B符合IEC 61000-4-2（ESD抗扰度，接触放电±8kV，空气放电±15kV）等多项国际电磁兼容标准，广泛用于接口保护，如USB端口、音频插孔、SIM卡槽和LCD偏压电路等。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）保证了在极端环境条件下的稳定运行，适用于工业控制、汽车电子外围模块及户外通信设备等严苛应用场景。综合来看，TFZVTR4.7B以其紧凑尺寸、高效保护能力和高可靠性，成为现代电子系统中不可或缺的电路保护元件。
TFZVTR4.7B广泛应用于各类消费类电子、通信设备和工业控制系统中，主要用于接口电路和电源轨的瞬态电压防护。常见应用包括智能手机和平板电脑中的USB数据线保护（D+与D-信号线）、耳机插孔ESD防护、SIM卡和存储卡接口保护，以及LCD显示屏驱动电路的过压抑制。在便携式医疗设备、智能手表和其他可穿戴产品中，由于其超小型SOD-962封装和低漏电特性，能够满足对空间和功耗的严格要求。
此外，该器件也常用于工业传感器信号调理电路、PLC输入输出端口、RS-232/RS-485通信线路的浪涌抑制，以及汽车电子中的非动力总成模块（如车载信息娱乐系统、导航仪和车内摄像头）的静电防护。由于其具备良好的高频响应特性和低寄生电容，TFZVTR4.7B还可用于高速数字信号路径的保护，不会显著影响信号完整性。在物联网节点、无线模块（如Wi-Fi、Bluetooth）和智能家居控制器中，该TVS二极管为天线馈线和低电压供电线路提供可靠的瞬态抑制功能，提升系统的电磁兼容性（EMC）表现。
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"DF2B7F4.7BL,T14",
"TPDVB4.7U2HMFX"
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