时间：2025/12/25 12:49:52
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TFZVTR30B是一款由东芝（Toshiba）公司生产的表面贴装型齐纳二极管，主要用于电压调节、电路保护和参考电压应用。该器件采用小型化SOD-523封装，具有体积小、响应速度快、稳定性高等特点，适用于便携式电子设备和高密度PCB布局设计。TFZVTR30B的标称齐纳电压为30V，在额定工作电流下能够提供稳定的反向击穿电压，确保后级电路免受过压影响。该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的温度稳定性和长期可靠性，广泛应用于消费类电子产品、通信设备、电源管理模块以及各类需要精密电压钳位的场景中。
其结构基于硅半导体工艺制造，通过精确控制掺杂浓度实现所需的齐纳击穿特性。在正常工作条件下，TFZVTR30B能够在反向偏置状态下维持一个几乎恒定的电压，即使输入电流在一定范围内波动也能保持输出电压稳定。此外，该器件具有较低的动态电阻，有助于提高电压调节精度，并减少因负载变化引起的电压波动。由于采用SOD-523超小型封装，TFZVTR30B非常适合自动化贴片生产，提升了组装效率与产品一致性。
型号：TFZVTR30B
类型：齐纳二极管
封装：SOD-523
标称齐纳电压：30V
测试电流：1mA
最大齐纳阻抗：90Ω
最大耗散功率：200mW
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
极性：单齐纳二极管
TFZVTR30B的电气特性表现出优异的电压稳定性和低噪声性能，特别适合用于模拟信号处理电路中的电压基准源或数字系统的电平箝位保护。其在1mA测试电流下的标称齐纳电压为30V，允许偏差通常控制在±5%以内，确保不同批次之间的参数一致性。该器件的最大齐纳阻抗为90Ω，这一数值反映了其在动态负载条件下的电压调节能力——阻抗越低，说明其对电流变化的敏感度越小，输出电压越稳定。因此，TFZVTR30B能够在瞬态干扰或负载突变时有效抑制电压尖峰，防止下游元件受损。
该齐纳二极管的最大功耗为200mW，在自然对流散热条件下即可满足大多数应用场景的需求。结合SOD-523封装的小尺寸优势，使其成为空间受限应用的理想选择，如智能手机、可穿戴设备、物联网传感器节点等。其宽泛的工作温度范围（-55℃至+150℃）赋予了该器件出色的环境适应性，可在高温工业环境或低温户外设备中可靠运行。此外，器件本身具备良好的热稳定性，齐纳电压的温度系数经过优化设计，减少了温度漂移带来的影响，从而提高了系统整体的测量精度和控制稳定性。
从可靠性角度看，TFZVTR30B通过了多项国际认证和老化测试，包括高温反向偏置（HTRB）、温度循环和湿度敏感性等级评估，确保在恶劣工况下的长期服役能力。其封装材料采用无铅焊接兼容结构，支持回流焊工艺，并具备优良的机械强度和防潮性能。这些特性使得TFZVTR30B不仅适用于常规商业级产品，也可用于部分工业级和汽车电子辅助系统中，只要不超出其热和电气极限。总体而言，这款齐纳二极管以其紧凑的设计、稳定的性能和广泛的适用性，成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。
广泛应用于便携式电子设备中的过压保护电路、电源管理单元的电压监测模块、模拟前端的参考电压源、接口电平转换器的电压箝位保护以及各类需要稳定30V基准电压的嵌入式系统中。
MMBZ5246BT1G
