时间：2025/8/7 12:34:58
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TFS7707H是一款由东芝（Toshiba）推出的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，专为高效能功率转换应用设计。这款MOSFET属于功率MOSFET类别，具有低导通电阻（Rds(on)）和高功率密度的特点，适用于需要快速开关和低损耗的电路设计。TFS7707H采用先进的封装技术，能够在高电流和高温环境下稳定工作，是工业控制、汽车电子和消费类电子设备中常用的功率开关元件。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：120A
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大7.7mΩ（在Vgs=10V时）
功耗（Pd）：180W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：SMD（表面贴装封装）
引脚数：8
技术：Trench MOSFET
TFS7707H具有多项出色的电气和物理特性，使其在功率电子应用中表现优异。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下仍然能够保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。由于采用了先进的Trench MOSFET技术，该器件能够在较小的封装中实现较高的电流承载能力。
其次，TFS7707H支持高栅源电压（±20V），允许设计者在驱动电路中使用更宽的电压范围，提高控制灵活性。其最大漏极电流可达120A，适用于高功率需求的应用，如电机驱动、电源转换器和电池管理系统。
此外，该器件的封装设计采用了表面贴装技术（SMD），使其适用于自动化生产流程，并减少PCB上的空间占用。同时，其散热性能良好，能够在高功耗应用中保持稳定的温度表现。TFS7707H的工作温度范围广泛（-55°C至150°C），适用于严苛的环境条件，如汽车电子和工业控制系统。
在可靠性方面，TFS7707H经过严格的设计和测试，具备较高的耐用性和稳定性。其短路耐受能力和过热保护特性使其在异常工作条件下仍能保持安全运行。
TFS7707H广泛应用于多个领域，包括但不限于以下几个方面：
1. **电源管理系统**：作为高效率的功率开关，TFS7707H可用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，提升电源转换效率并降低功耗。
2. **电机控制**：在电机驱动电路中，TFS7707H可用于控制高电流负载，适用于电动工具、机器人和工业自动化设备。
3. **汽车电子**：由于其高可靠性和宽温度范围，TFS7707H适用于汽车中的各种功率控制应用，如车载充电器、电池管理系统（BMS）和电动助力转向系统（EPS）。
4. **消费类电子产品**：在高性能笔记本电脑、电源适配器和智能家电中，TFS7707H可作为功率开关，优化能效并减小产品体积。
5. **工业设备**：用于工业逆变器、UPS（不间断电源）和自动化控制系统，提供稳定的功率切换和高效能管理。
Si7707BD, IRF7707, TPS7707, AO7707
