TFS763HG 时间：2025/8/7 13:41:41 阅读：28

TFS763HG 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET器件，主要用于高效率、高功率密度的电源转换应用。该器件采用先进的沟槽式（Trench）MOSFET技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适用于如DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统、工业电源以及新能源汽车等对性能要求较高的场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　导通电阻（Rds(on)）：2.9mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：85nC
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-247

特性

TFS763HG MOSFET具备多项优异的电气和热性能特点。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，从而提高电源系统的整体效率，并减少发热。其次，该器件采用了先进的沟槽式技术，使电流密度更高，同时降低了封装体积，提高了功率密度。此外，TFS763HG具备较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于如电动汽车和工业电源等高要求的应用场景。
　　在开关性能方面，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），有助于减少开关过程中的能量损耗，提高开关速度并降低电磁干扰（EMI）。同时，其耐压等级达到30V，适用于低压高电流的功率转换系统。TFS763HG还具备较强的短路耐受能力和过流保护性能，提升了系统在极端工况下的可靠性。
　　从封装角度来看，TFS763HG采用TO-247封装形式，这种封装不仅具备良好的散热性能，还便于安装和维护，适合高功率密度的设计需求。

应用

TFS763HG 主要应用于高功率密度的电源系统，如服务器电源、通信电源、DC-DC转换器、UPS不间断电源、工业自动化设备、电机驱动器以及新能源汽车的电池管理系统中。在这些应用中，该MOSFET能够提供高效的能量转换和优异的热管理性能，确保系统长时间稳定运行。例如，在电动汽车的车载充电系统（OBC）中，TFS763HG可以用于实现高效的AC-DC和DC-DC功率转换；在工业电源设备中，其低导通电阻和高电流承载能力有助于提高系统效率和可靠性。