TFS712HG 时间：2025/8/7 9:35:03 阅读：28

TFS712HG 是一款由东芝（Toshiba）推出的双N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术（Trench Technology），具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率的特性。该器件主要用于高效率电源转换应用，如DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统中。TFS712HG 封装为SOP（Small Outline Package），便于在紧凑型电路板中使用。

参数

类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：4.3A
　　导通电阻（RDS(on)）：32mΩ @ VGS=4.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP8
　　功率耗散（PD）：2.5W

特性

TFS712HG MOSFET采用了东芝先进的沟槽技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了整体效率。其低导通电阻（仅为32mΩ）使其在高电流应用中具有优异的热性能，减少了功率损耗和发热。此外，该器件支持高达±12V的栅极电压，具备良好的栅极氧化层稳定性，增强了抗过压能力。
　　该MOSFET的SOP8封装设计不仅节省空间，还具备良好的热管理性能，适合在高密度PCB布局中使用。同时，其双N沟道结构可实现同步整流或双向负载控制，适用于各种电源管理场景，如负载开关、马达驱动和电池充电管理。
　　此外，TFS712HG的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车电子应用。其优异的可靠性使其在高温环境下依然保持稳定运行，确保系统的长期稳定性。TFS712HG还具备快速开关能力，降低了开关损耗，有助于提升电源转换效率。

应用

TFS712HG 主要应用于以下领域：
　　1. 电源管理系统：如DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统。
　　2. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑、移动电源和智能穿戴设备。
　　3. 电机控制和驱动电路：适用于小型电机、风扇、继电器等负载控制。
　　4. 汽车电子系统：如车载充电器、车身控制模块、LED照明驱动等。
　　5. 工业自动化和控制系统：如PLC模块、传感器接口和工业电机控制。
　　由于其高效率、低功耗和小尺寸封装，TFS712HG 特别适合需要高效能和紧凑设计的便携式与嵌入式电子产品。