类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：140A
　　导通电阻（RDS(on)）：约3.7mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极电压范围：-20V至+20V
　　最大功耗：220W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247
　　热阻（RthJC）：0.6°C/W（最大值）

TFS140AP具备多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可以显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具有较高的电流承载能力，最大漏极电流可达140A，适用于高功率需求的应用。此外，TFS140AP采用了先进的封装技术，具有良好的热管理性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　该MOSFET还具备较高的耐压能力，最大漏极电压为30V，能够在较高电压环境下可靠工作。同时，其栅极电压范围较宽，支持-20V至+20V的输入，适用于多种驱动电路设计。TFS140AP还具备较强的抗过载和短路能力，能够在异常工作条件下提供一定的保护作用。
　　在电气性能方面，TFS140AP的开关速度较快，能够支持高频操作，适用于开关电源（SMPS）和DC-DC转换器等高频应用。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。此外，该器件的封装设计有利于散热，可直接安装在散热片上，进一步提高热性能。

TFS140AP广泛应用于各种高功率和高效率的电子设备中。其主要应用场景包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机控制电路、负载开关、电源适配器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其优异的电气性能和热管理能力，TFS140AP也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具以及新能源汽车的功率管理系统中。

TKA140N30Z,TFS140A