时间：2025/5/26 18:39:02
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TFS080N04NG是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用TO-252封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种电源管理应用。它通常被应用于直流电机驱动、开关电源、负载切换以及逆变器等领域。
该MOSFET的耐压能力为40V，并能在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能表现。此外，其设计注重效率优化，可有效降低功率损耗。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：80A
导通电阻：1.3mΩ
栅极电荷：78nC
开关时间：开启时间49ns，关闭时间17ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
TFS080N04NG具备非常低的导通电阻，仅为1.3mΩ，这有助于显著减少传导损耗并提高整体系统效率。
此外，这款MOSFET的快速开关特性使其能够支持高频操作，从而满足现代高效能电源转换的需求。
它的高电流承载能力（高达80A）确保了在大功率应用场景下的可靠性。
同时，该器件还拥有较低的栅极电荷量（78nC），这有助于减少驱动功耗。
另外，TFS080N04NG能够在极端温度条件下稳定运行，适应从工业级到汽车级的各种严苛环境。
TFS080N04NG广泛应用于需要高性能功率开关的领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电动工具中的电机控制
3. 工业自动化设备中的负载切换
4. 汽车电子系统中的DC-DC转换器
5. 太阳能逆变器中的功率调节模块
6. 高效LED照明驱动电路
由于其出色的电气特性和热稳定性，该器件特别适用于对效率和可靠性要求较高的场合。
TMR080N04S, FDP087N04L, IRFZ44N
