时间：2025/6/22 8:53:45
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TFS040N03N 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用中。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热性能，适合在高频开关应用中使用。
最大漏源电压：30V
最大连续漏电流：40A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷（典型值）：12nC
总电容（输入电容）：1650pF
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-220
TFS040N03N 具有非常低的导通电阻，这使其能够减少功率损耗并提高效率。此外，它的高开关速度使得它非常适合高频应用，并且可以降低电磁干扰 (EMI)。该器件还具备较高的雪崩能量能力，增强了其在恶劣环境下的可靠性。由于采用了 TO-220 封装，它具有良好的散热性能，方便用户设计高效的散热解决方案。
这款 MOSFET 的高电流承载能力和宽泛的工作温度范围使它适用于各种工业和汽车级应用。同时，其快速开关特性降低了开关损耗，有助于提升整体系统的效率。
TFS040N03N 主要应用于需要高效功率管理的场景，例如：
- 开关电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电机驱动
- 负载开关
- 电池管理系统 (BMS)
- 工业控制设备
- 汽车电子系统
其强大的电流处理能力和低导通电阻使其成为这些领域中的理想选择。
TFS040N03L, IRFZ44N, FDP040N03L
