TFM-150-01-F-D-LC 是一种薄膜电容器,专为高频和高功率应用设计。该型号采用金属化聚丙烯薄膜作为介质,具有低ESR(等效串联电阻)和低ESL(等效串联电感),能够有效减少高频条件下的能量损耗。
这种电容器通常用于电源滤波、耦合以及射频电路中的旁路应用,提供出色的稳定性和可靠性。
容量:150nF
额定电压:500V
耐压值:630V
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装类型:径向引线
尺寸:18mm x 25mm
绝缘电阻:≥ 10GΩ
损耗角正切值:≤ 0.0005
频率范围:DC 至 1MHz
TFM-150-01-F-D-LC 具有高可靠性和长寿命的特点,其金属化薄膜技术使其能够在高温环境下保持稳定的电气性能。
此外,该电容器的自愈特性可以防止因局部击穿导致的整体失效,从而提高系统安全性。
它还具有优异的抗浪涌能力,适用于需要承受瞬时高电压的场景。
由于其低ESR和ESL特性,TFM-150-01-F-D-LC 在高频条件下表现出较低的发热和较高的效率,非常适合用于射频电路和开关电源中。
该电容器广泛应用于工业电子设备中,如变频器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和电动汽车充电站等。同时,它也常用于音频设备中的耦合和去耦功能,以改善音质并减少噪声干扰。
在通信领域,TFM-150-01-F-D-LC 可用于射频放大器和滤波器电路,提供更高的信号纯度和稳定性。
此外,该型号还可用于医疗设备、测试仪器和其他高性能电子系统中,满足对高质量电容器的需求。
TFM-150-01-F-D-HC, TFM-150-01-F-D-SC