TFM-115-01-L-D 是一款高性能的薄膜混合集成电路,广泛应用于通信、工业控制和医疗设备领域。该器件采用先进的薄膜技术制造,具有高精度、低噪声和高稳定性的特点。它通常被用作滤波器、放大器或其他信号处理电路的核心元件。TFM-115-01-L-D 的设计使其能够在高频环境下保持优异的性能,同时提供可靠的长期稳定性。
其封装形式为小型化设计,适合紧凑型电路板布局,能够满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。
型号:TFM-115-01-L-D
工作频率范围:10MHz 至 1GHz
输入阻抗:50欧姆
输出阻抗:50欧姆
插入损耗:≤1.5dB(典型值)
回波损耗:≥20dB(典型值)
最大输入功率:+30dBm
供电电压:±12V
工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
尺寸:15mm x 15mm x 2.5mm
TFM-115-01-L-D 的主要特性包括:
1. 高性能薄膜工艺,确保了器件的高精度和低漂移。
2. 具有宽广的工作频率范围,支持从低频到高频的应用场景。
3. 插入损耗低,保证了信号传输效率。
4. 回波损耗优异,可有效减少信号反射,提高系统性能。
5. 封装小巧,便于集成到各种复杂的电路系统中。
6. 稳定性好,在极端温度条件下仍能保持稳定的电气性能。
7. 耐受功率高,适用于需要大功率处理能力的场合。
TFM-115-01-L-D 可用于以下应用场景:
1. 无线通信系统中的射频前端模块。
2. 医疗成像设备中的信号调理电路。
3. 工业自动化控制系统中的数据采集与处理单元。
4. 雷达系统中的信号滤波与放大环节。
5. 测试测量仪器中的高频信号生成与处理部分。
6. 卫星通信和微波通信领域的关键组件。
TFM-115-02-H-A, TFM-115-03-L-C