TFM-110-01-L-D-K 是一种高性能的薄膜混合集成电路,主要用于需要高精度、低噪声和高稳定性的电子设备中。该型号采用了先进的薄膜技术制造,具有极高的电阻精度和温度稳定性,适用于各种精密测量和控制应用。这种芯片通常用于工业自动化、医疗设备、航空航天以及其他对性能要求较高的领域。
类型:薄膜混合集成电路
封装形式:DIP(双列直插式)
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
输入电压范围:±15V
输出阻抗:100Ω
最大功耗:1W
尺寸:11.0mm x 7.5mm x 2.0mm
TFM-110-01-L-D-K 的主要特点是其卓越的电气特性和机械稳定性。
1. 高精度:采用薄膜电阻技术,保证了出色的电阻值精度和匹配度。
2. 低温度漂移:由于薄膜材料的特性,该芯片在宽温度范围内表现出极低的温度系数。
3. 高可靠性:经过严格的测试和筛选,确保在恶劣环境下的长期稳定性。
4. 小型化设计:紧凑的封装使其适合空间受限的应用场景。
5. 抗电磁干扰能力强:通过优化电路布局和屏蔽设计,有效降低了外部电磁场的影响。
TFM-110-01-L-D-K 广泛应用于以下领域:
1. 工业控制:如数据采集系统、过程控制系统等。
2. 医疗设备:包括心电图机、超声波设备和其他诊断仪器。
3. 航空航天:适用于导航系统、飞行控制器及其他关键组件。
4. 测试与测量:如精密放大器、信号调理模块等。
5. 汽车电子:可用于高级驾驶辅助系统(ADAS)中的传感器信号处理部分。
TFM-110-01-L-D-J, TFM-110-01-L-D-M