时间：2025/6/24 5:05:26
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TFM-108-01-L-D-K 是一种高性能的薄膜混合电阻网络芯片，广泛应用于精密测量、信号调节和工业控制等领域。该器件采用薄膜技术制造，具有高精度、低温度漂移和长期稳定性等特性。它内部集成了多个电阻元件，通过特定的配置实现分压、匹配阻抗和其他功能。
型号：TFM-108-01-L-D-K
封装形式：SIP8
电阻值范围：100Ω 至 100kΩ
公差：±0.1%
温度系数：±5 ppm/°C
工作电压：50V
额定功率：0.25W
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
引脚数：8
TFM-108-01-L-D-K 的主要特点是其薄膜工艺带来的卓越性能。
1. 高精度：公差仅为 ±0.1%，确保了电路设计中的精确性。
2. 稳定性：温度系数低至 ±5 ppm/°C，能够在极端温度条件下保持性能稳定。
3. 小型化设计：采用 SIP8 封装，节省空间，适合紧凑型应用。
4. 可靠性：经过严格的环境测试和老化筛选，确保在长时间使用中保持可靠性。
5. 多功能性：内部包含多个电阻网络，可灵活配置为分压器、匹配网络等功能模块。
该器件适用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 工业自动化：用于传感器信号调理、数据采集系统。
2. 测试与测量设备：例如示波器、万用表中的参考电阻网络。
3. 医疗设备：如监护仪、超声波设备中的精密电阻网络。
4. 航空航天：需要高可靠性和高精度的场景。
5. 汽车电子：如发动机控制单元 (ECU) 中的信号调节电路。
TFM-108-01-H-D-K
TFM-108-01-M-D-K
RN55D-01LF
