TFM-108-01-F-D-K-TR 是一种高性能的薄膜混合 (Thin Film Module) 芯片,专为高频射频应用设计。该芯片采用了先进的薄膜技术制造工艺,能够提供低插入损耗和高稳定性的性能表现,适用于无线通信、雷达系统和其他高频电子设备中的滤波器或匹配网络组件。
其封装形式为表面贴装 (SMD),适合自动化生产环境,同时具备良好的抗潮湿和耐高温特性。
型号:TFM-108-01-F-D-K-TR
工作频率范围:850 MHz - 960 MHz
插入损耗:≤0.5 dB
回波损耗:≥20 dB
额定功率:2 W
最大电压:50 V
温度范围:-40°C 至 +85°C
尺寸:3.2 mm x 1.6 mm
重量:约0.02 g
1. 使用薄膜技术制造,确保了芯片在高频段下的卓越电气性能。
2. 插入损耗极低,可有效减少信号传输过程中的能量损失。
3. 高度稳定的性能,在宽温度范围内保持一致的表现。
4. 表面贴装设计简化了装配流程,提高了生产效率。
5. 小型化封装使其成为空间受限应用场景的理想选择。
6. 提供优异的抗潮湿能力,适应恶劣环境条件下的长期使用需求。
TFM-108-01-F-D-K-TR 广泛应用于以下领域:
1. 无线通信设备,例如基站、中继器等。
2. 雷达系统中的信号处理模块。
3. 卫星通信设备中的射频前端。
4. 医疗成像设备中的高频信号处理单元。
5. 工业自动化控制中的高频信号传输与处理部分。
6. 消费类电子产品中的射频模块,如智能穿戴设备等。
TFM-108-01-F-D-W-TR, TFM-108-02-F-D-K-TR