时间：2025/5/19 8:49:20
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TFD180N06N 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管 (MOSFET)，适用于多种开关和电源管理应用。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高效率和出色的热性能等特性。其额定电压为 60V，持续漏极电流可达 180A，适用于工业、汽车和消费类电子领域。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：180A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷（典型值）：320nC
开关速度：快速
封装形式：D2PAK
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
TFD180N06N 具有非常低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够减少功率损耗并提高效率。
该 MOSFET 的栅极驱动要求较低，便于设计人员优化驱动电路。
器件的工作温度范围宽广，适合极端环境下的使用。
由于采用了 D2PAK 封装，因此具有良好的散热性能和机械稳定性。
此外，TFD180N06N 在高频开关条件下表现出色，可满足现代电力电子系统对高效能的需求。
该 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、不间断电源 (UPS) 和电池管理系统等场景。
在汽车领域，它可以用于电动车辆的牵引逆变器和车载充电器。
工业应用包括开关电源、太阳能逆变器以及各种大功率控制电路。
此外，它也适用于需要高效率和高可靠性的消费类电子产品，例如笔记本电脑适配器和游戏机电源。
IRFP2907,
STP180N06,
FDP187N,
IXFN180N06T2
