TFD130N04S 是一种 N 沟道功率场效应晶体管 (MOSFET),专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和极快的开关速度,适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域。其封装形式通常为 TO-220 或 PDFN5x6,具体取决于制造商的实现方式。
该型号以出色的效率和热性能著称,能够在高频率和高电流条件下稳定运行。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:130A
导通电阻:1.6mΩ
栅极电荷:80nC
开关时间:ton=10ns, toff=15ns
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
封装形式:TO-220 或 PDFN5x6
TFD130N04S 的主要特性包括低导通电阻(1.6mΩ),这有助于减少传导损耗并提高整体效率。此外,其极低的栅极电荷使得开关损耗显著降低,从而在高频应用中表现优异。
该器件还具备快速的开关速度,典型开通和关断时间分别为 10ns 和 15ns,使其非常适合要求高效能和高速度的场景。同时,其大电流承载能力(最高达 130A)确保了其在高功率应用中的可靠性。
另外,TFD130N04S 提供了较宽的工作温度范围(从 -55℃ 到 +175℃),能够适应各种极端环境下的使用需求。
TFD130N04S 广泛应用于多个领域,例如:
1. 开关电源(SMPS)设计,提供高效的电力转换功能。
2. DC-DC 转换器,适用于需要低损耗和快速响应的应用场景。
3. 电机驱动电路,支持高电流输出和精确控制。
4. 逆变器系统,特别在太阳能逆变器等新能源相关设备中发挥重要作用。
5. 工业自动化设备,如焊接机和不间断电源(UPS)。
IRFP2907, FDP18N40, STP130N4LLH5