时间：2025/5/8 20:08:47
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TFD040N03N 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由英飞凌科技生产。该器件采用小型封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动器和负载开关等。
其设计优化了效率和散热性能，适合于需要高性能和紧凑解决方案的应用场景。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：40A
导通电阻（典型值）：1.6mΩ
栅极电荷（典型值）：8nC
总电容（输入电容）：75pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-Leadless（TOLL）
TFD040N03N 的主要特点是低导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高整体效率。此外，其快速开关能力和坚固的热设计使其能够在高频条件下高效运行。
该器件还具备出色的雪崩能力和 ESD 性能，从而提高了系统的可靠性和耐用性。
由于采用了 TOLL 封装，它不仅节省了 PCB 空间，还改善了热管理和电气连接的稳定性。
TFD040N03N 广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于：
- 开关模式电源（SMPS）中的功率转换
- 电动工具和其他便携式设备中的电机驱动
- 汽车电子系统中的负载切换
- 工业自动化中的继电器替代方案
- 高效 DC-DC 转换器设计
此外，它也适用于需要快速开关和低损耗的其他应用领域。
BSC040N03LS G
IPW40N03L
STP40NF03L
