TFC-135-01-F-D 是一款高性能的薄膜电容器,专为高频和高功率应用而设计。该元器件采用先进的薄膜技术制造,具有低等效串联电阻(ESR)和低感应(ESL),使其在高频电路中表现出色。TFC-135-01-F-D 通常用于射频(RF)和微波电路、滤波器、耦合和解耦应用中。
这种电容器能够承受较高的纹波电流,并且在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。其金属化薄膜结构增强了自愈能力,提高了可靠性和寿命。
电容范围:0.1μF 至 2.2μF
额定电压:50V 至 630V
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
最大纹波电流:根据具体型号可高达 4A(100kHz,+85℃)
尺寸:直径 13.5mm,长度根据容量不同变化
封装形式:径向引线
TFC-135-01-F-D 具有出色的高频性能,这是因为其内部采用了低损耗材料和优化设计,从而显著降低了等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)。此外,它具备良好的温度稳定性,在极端环境条件下仍能提供稳定的表现。
由于使用了金属化薄膜技术,该电容器具备自我修复功能,当出现局部击穿时,金属层会自动蒸发以隔离故障区域,从而延长使用寿命并提高安全性。
其紧凑的设计使得 TFC-135-01-F-D 成为许多空间受限应用的理想选择,同时支持高功率密度要求的场合。
在电气性能方面,这款电容器拥有非常低的介质损耗因数(tanδ),这对于需要高效能量传输的应用尤为重要。例如,在开关电源或通信设备中的滤波网络中,它可以减少信号失真并改善整体系统性能。
TFC-135-01-F-D 广泛应用于各种电子领域,包括但不限于以下:
1. 射频(RF)和微波电路中的阻抗匹配及滤波;
2. 高频功率放大器中的耦合与旁路;
3. 开关模式电源(SMPS)中的输出滤波;
4. 通信设备中的信号处理和滤波;
5. 工业控制和自动化系统中的电源去耦;
6. 航空航天和国防领域的高可靠性应用;
7. 医疗电子设备中的精密滤波和能量存储。
TFC-135-02-F-D, TFC-135-01-M-D, TFC-135-02-M-D