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TFAS-1+ 发布时间 时间:2025/12/28 12:43:22 查看 阅读:15

TFAS-1+ 是一款由 Mini-Circuits 公司生产的射频(RF)开关芯片,广泛用于射频和微波测试设备、通信系统以及其他需要快速射频信号切换的应用中。该芯片设计用于在两个射频路径之间进行高速切换,具有低插入损耗、高隔离度和较长的使用寿命。TFAS-1+ 是一种基于 PIN 二极管技术的吸收式射频开关,工作频率范围宽,适用于多种射频应用场景。

参数

工作频率范围:10 MHz 至 3 GHz
  插入损耗:典型值 0.35 dB(最大 0.6 dB)
  隔离度:典型值 45 dB(最小 35 dB)
  切换时间:上升时间 15 ns,下降时间 15 ns
  输入功率:最大 30 dBm
  VSWR:1.35:1(典型)
  控制电压:+3 V 至 +5 V TTL/CMOS 兼容
  封装形式:SOT-89

特性

TFAS-1+ 的主要优势在于其出色的射频性能和稳定的电气特性。该器件采用 PIN 二极管结构,使其在射频信号切换过程中表现出优异的线性度和低失真特性。吸收式设计意味着在非导通状态下,信号会被内部吸收而不是反射,从而减少系统中的信号反射问题,提高整体系统稳定性。
  其工作频率范围覆盖从 10 MHz 到 3 GHz,适用于包括蜂窝通信、Wi-Fi、蓝牙、GPS 和其他无线通信标准在内的多种应用。插入损耗低至 0.35 dB,有助于维持系统中的信号强度,而隔离度高达 45 dB,确保在切换过程中非选通路径的信号不会干扰主信号路径。
  TFAS-1+ 的控制电压兼容 TTL 和 CMOS 电平,使得其易于集成到各种数字控制系统中。切换时间短至 15 ns,能够满足高速射频切换应用的需求,如软件定义无线电(SDR)和自动测试设备(ATE)中的快速信号路由。
  该器件采用 SOT-89 小型封装,适合表面贴装工艺,具有良好的热稳定性和机械可靠性。此外,其最大输入功率可达 30 dBm,适用于中等功率的射频系统。

应用

TFAS-1+ 广泛应用于需要射频信号切换的各种系统中。常见用途包括射频测试设备中的信号路径选择、无线通信系统中的天线切换、射频收发器中的信号路由、频谱分析仪和信号发生器等测试仪器中的信号控制。此外,它也适用于工业控制系统、医疗射频设备以及射频识别(RFID)系统等场景。
  在现代通信基础设施中,例如 4G/5G 基站和小型蜂窝设备中,TFAS-1+ 可用于实现射频前端模块中的天线切换或滤波器切换功能。在软件定义无线电(SDR)平台中,该器件可用于动态切换不同的射频通道,从而提高系统的灵活性和性能。
  由于其吸收式特性,在需要减少信号反射的系统中,如测量和测试环境中的自动测试设备(ATE),TFAS-1+ 可作为理想的射频开关解决方案。其高隔离度和低插入损耗也使其成为高精度测量系统中不可或缺的组件。

替代型号

HMC241LC4B, PE4259, SKY12217-385LF, ADG901

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