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TF80N03 发布时间 时间:2025/5/20 16:24:46 查看 阅读:6

TF80N03是一种N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),主要用于开关和功率转换应用。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力,适合用于各种工业和消费类电子产品中,例如电源适配器、LED驱动器和电机控制器等。TF80N03的工作电压为30V,能够承受较高的瞬态电压,同时具备快速开关速度和良好的热稳定性。
  该型号由泰科天润半导体生产,采用TO-252/DPAK封装形式,这种封装有助于提高散热性能并简化PCB设计。

参数

最大漏源电压:30V
  最大漏极电流:80A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷:15nC
  开关速度:10ns
  工作结温范围:-55℃ to +175℃

特性

1. 极低的导通电阻,可有效减少功率损耗。
  2. 高电流承载能力,支持高达80A的漏极电流。
  3. 快速开关速度,适用于高频开关应用。
  4. 良好的热稳定性和耐用性,能够在高温环境下长期运行。
  5. 小巧的DPAK封装形式,便于安装和散热管理。
  6. 提供出色的抗雪崩能力和ESD保护功能,提高了整体可靠性。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或控制开关。
  3. LED照明系统的恒流驱动电路。
  4. 电机驱动和控制电路中的功率级开关。
  5. 各种工业设备中的负载切换与保护电路。
  6. 消费类电子产品中的充电器和适配器解决方案。

替代型号

IRFZ44N, FDP55N06L

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