时间：2025/5/9 11:03:18
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TF68N75是一种基于硅材料制造的高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换和控制的电路中。TF68N75的设计使其能够在高电压条件下稳定工作，同时提供较低的导通电阻以减少功耗。
TF68N75采用TO-220封装形式，具有较高的电流承载能力和散热性能，便于在实际应用中进行安装和散热设计。
最大漏源电压：75V
连续漏极电流：12A
栅极阈值电压：2V~4V
导通电阻（典型值）：0.04Ω
总功耗：125W
工作结温范围：-55℃~175℃
TF68N75的主要特性包括：
1. 高耐压能力，能够承受高达75V的漏源电压，适合多种高压应用场景。
2. 较低的导通电阻（Rds(on)），在大电流条件下可有效降低功率损耗，提高效率。
3. 快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高高频工作性能。
4. 高电流处理能力，支持连续漏极电流达12A，适用于高功率应用。
5. TO-220标准封装，具备良好的散热性能，方便与其他散热组件集成。
6. 宽工作温度范围，从-55℃到175℃，确保在极端环境下的可靠运行。
TF68N75适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如适配器、充电器等。
2. 电机驱动，用于家用电器、工业设备中的直流无刷电机控制。
3. 逆变器，为太阳能发电系统或不间断电源（UPS）提供高效功率转换。
4. LED驱动器，用于高亮度LED照明系统的恒流控制。
5. 各种电力电子设备中的负载开关和保护电路。
IRFZ44N
FDP17N75
STP12NF75
