时间：2025/5/21 20:41:29
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TF60N04是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电路中。该器件采用TO-252封装形式，具有较高的电流承载能力和较低的导通损耗，适合于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。
最大漏源电压：40V
最大漏极电流：60A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：17nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-252
TF60N04具备极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高系统效率。
它还具有快速开关性能，可以有效降低开关损耗。
该器件的高电流处理能力使其适用于大功率应用场景。
此外，其出色的热稳定性确保了在极端温度条件下的可靠运行。
TF60N04采用了先进的制造工艺，从而保证了产品的一致性和长期可靠性。
开关电源中的功率开关
DC-DC转换器中的同步整流
电机驱动电路中的功率级
负载开关和保护电路
电池管理系统中的充放电控制
逆变器和不间断电源（UPS）中的功率转换
