TF5234N 时间：2025/8/3 10:20:29 阅读：32

TF5234N是一款由台湾地区制造商提供的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备等领域。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点，适合在中高功率应用中使用。TF5234N采用常见的TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的热稳定性和电气性能，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：50A（最大值）
　　导通电阻（RDS(on)）：3.4mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　功耗（PD）：100W（最大值）

特性

TF5234N具有优异的电气性能和热管理能力，适用于高效率电源系统设计。其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。该MOSFET具有高电流承载能力，在持续工作状态下可支持高达50A的漏极电流，同时具备良好的短时过载能力。TO-252封装提供了较大的散热面积，有利于热量快速散发，确保器件在高功率环境下稳定运行。此外，TF5234N的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的3.3V、5V及12V驱动电路，兼容多种控制芯片和驱动器。该器件内部结构优化，具备较低的开关损耗，适用于高频开关应用。其高可靠性和耐用性使其在工业控制、通信设备、汽车电子以及消费类电子产品中均有广泛应用。

应用

TF5234N适用于多种功率电子系统，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、电源适配器、UPS不间断电源、LED照明驱动电源以及工业自动化控制系统等。由于其高电流能力和低导通电阻，TF5234N特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源转换与管理场合。在汽车电子应用中，该MOSFET可用于车载充电器、电动工具、电瓶管理系统等场景。在消费类电子产品中，TF5234N常用于电源管理模块、移动电源、智能家电等设备中。