时间：2025/5/13 14:49:34
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TF50N02是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效开关和低导通损耗的电路中。它具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够在高频条件下保持良好的性能。
TF50N02的设计使其适用于各种功率电子应用，能够提供高效率和可靠性，同时其紧凑的封装形式有助于节省电路板空间。
最大漏源电压：200V
最大漏极电流：50A
栅源开启电压：2V~4V
导通电阻：0.18Ω（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：190W
结温范围：-55℃~+150℃
1. 高电流处理能力，支持高达50A的漏极电流。
2. 低导通电阻，典型值为0.18Ω，有助于减少导通损耗。
3. 快速开关速度，适合高频应用。
4. 良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
5. 小型化设计，便于在紧凑型电路中使用。
6. 高耐压能力，最大漏源电压达到200V，适用于多种高压场景。
1. 开关电源中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. DC-DC转换器中的主开关管。
4. 各类工业和消费电子设备中的负载切换。
5. 继电器替代方案中的固态开关。
6. 照明系统中的调光和调压控制。
IRF540N, STP50NF06, K1208, FQP50N06L
