型号：TF263AF
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：4.2A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：16A
　　最大耗散功率（PD）：1.5W
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：26mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：32mΩ
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23/SOT-323

TF263AF采用先进的沟槽式MOSFET工艺设计，具备极低的导通电阻，这使得它在大电流工作条件下能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。例如，在电池供电设备中，低RDS(on)意味着更少的能量以热量形式消耗，从而延长了电池续航时间并减少了对散热结构的需求。此外，该器件具有快速的开关响应能力，上升时间和下降时间均处于较低水平，适合高频开关应用如同步整流、DC-DC升压/降压转换器等场景。这种高速切换能力有助于减小外围电感和电容的体积，进一步提升电源系统的功率密度。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围适中（1.0V~2.5V），使其既能兼容3.3V逻辑信号控制，也可用于5V驱动电路，增强了其在多种控制架构中的适用性。同时，±20V的栅源电压耐受能力提供了较强的抗过压保护能力，降低了因误操作或瞬态电压冲击导致器件损坏的风险。器件的工作结温可达+150°C，表明其具备良好的高温工作稳定性，能够在恶劣热环境下长期可靠运行。
　　TF263AF的小型化封装（SOT-23/SOT-323）不仅节省PCB布局空间，还便于自动化贴片生产，适用于高密度组装工艺。其封装材料符合无铅焊接标准，满足现代电子产品对环保和绿色制造的要求。此外，器件内部结构经过优化设计，具有较低的寄生电容和电感，有助于减少开关过程中的振铃现象和电磁干扰（EMI），从而提升整个电源系统的电磁兼容性。这些综合特性使TF263AF成为中小功率开关电源、负载开关、LED驱动电路以及电机控制模块中的理想选择。

TF263AF广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子设备中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电源管理单元，例如智能手机和平板电脑内的电池充放电控制电路，作为负载开关或背光驱动的主控元件；在DC-DC转换器中，常被用作同步整流管以替代肖特基二极管，大幅提高转换效率并降低温升。此外，该器件也适用于USB电源开关、LDO后级开关、电机驱动H桥中的低端开关管，以及各类电池供电设备中的电源通断控制。
　　在工业控制领域，TF263AF可用于传感器模块的电源启停控制、PLC输入输出扩展板的驱动电路，以及小型继电器或电磁阀的驱动开关。由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力，也可用于汽车电子中的低功耗辅助系统，如车载信息娱乐系统的电源管理、车内照明调光电路等。在通信设备中，该MOSFET可用于PoE（以太网供电）终端的小信号开关或隔离控制。
　　此外，TF263AF还可用于LED照明驱动电路中作为恒流调节的开关元件，尤其适用于低压LED灯带或装饰照明系统。在无人机、智能穿戴设备、物联网终端等新兴领域，因其小尺寸和高效率特性而备受青睐。总体而言，凡是在30V以下电压范围内需要实现快速、低损耗功率切换的应用，TF263AF都是一种经济且可靠的解决方案。

UT263AF, ESD263AF, FQD263AF, SI2326DS, AO3400