时间：2025/6/28 23:28:35
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TF21844M-TR 是一款高性能的 N 沣道通 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于高效能电源管理、电机驱动和负载切换等场景。
该型号属于逻辑电平驱动系列，能够通过较低的栅极驱动电压实现高效的导通状态，从而减少功耗并提升系统效率。
类型：N 沖道 MOSFET
封装形式：TO-252 (DPAK)
最大漏源电压 (Vds)：40 V
最大栅源电压 (Vgs)：±20 V
持续漏极电流 (Id)：29 A
导通电阻 (Rds(on))：3.5 mΩ（在 Vgs = 10V 时）
总功耗：10 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
栅极电荷 (Qg)：36 nC
反向恢复时间 (trr)：85 ns
TF21844M-TR 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（3.5 mΩ），有助于降低传导损耗，提高整体效率。
2. 高速开关能力，反向恢复时间仅为 85 纳秒，适用于高频开关电路。
3. 逻辑电平驱动设计，允许使用低至 4.5V 的栅极驱动电压，简化了驱动电路设计。
4. 较宽的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），使其能够在恶劣环境下可靠运行。
5. 封装为 TO-252 (DPAK)，具有良好的散热性能和机械强度。
6. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
TF21844M-TR 广泛应用于需要高效功率控制的场合，具体包括：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器元件。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电机驱动电路中的功率级开关元件。
4. 电池保护和负载切换应用。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. LED 驱动器中的电流调节组件。
由于其低导通电阻和高效率，该器件特别适合对能耗敏感的应用场景。
IRLZ44N, FDP5500, AO3400A
