时间：2025/6/16 10:32:17
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TF21364M-TR 是一款高性能的存储器芯片，属于 SRAM（静态随机存取存储器）系列。它具有高可靠性、低功耗和快速访问时间的特点，适用于需要高速数据处理的应用场景。该芯片采用先进的制造工艺，在确保性能的同时降低了功耗。
TF21364M-TR 的设计使得其能够在工业级温度范围内稳定工作，这使其非常适合于嵌入式系统、网络设备以及各种工业控制应用中。
容量：4Mb
组织结构：512K x 8
电压范围：1.7V - 1.9V
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装类型：TQFP
访问时间：10ns
数据保留时间：无限
I/O 引脚数：20
典型功耗：10mW
TF21364M-TR 是一款高度集成的 SRAM 存储芯片，具备以下特点：
1. 高速读写能力，访问时间仅为 10ns，能够满足对速度要求较高的应用场景。
2. 支持低电压操作（1.7V 至 1.9V），有助于降低整体系统的功耗。
3. 工业级温度范围支持（-40°C 至 +85°C），保证在极端环境下也能可靠运行。
4. 提供 TQFP 封装，便于安装在各种 PCB 板上。
5. 数据保留时间无限制，即使在断电后数据也不会丢失。
6. 具有良好的电磁兼容性（EMC），可减少对外部干扰的敏感度。
TF21364M-TR 广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 嵌入式控制系统，例如工业自动化设备、机器人控制器等。
2. 网络通信设备，如路由器、交换机和防火墙中的缓存存储。
3. 医疗仪器，例如超声波设备和其他需要实时数据处理的医疗诊断工具。
4. 汽车电子系统，用于存储关键的控制参数和临时数据。
5. 游戏设备和消费类电子产品，提供快速的数据存取以提升用户体验。
CY62136EVN-10LL, AS6C1008-55SL, IS61LV256AL-10TLI
