TF202E5-TL-E是一款由Taiwan Semiconductor(台湾半导体)生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用共阴极双二极管配置,广泛应用于高频开关电源、整流电路以及反向电压保护等场景。该器件基于先进的硅外延制造工艺,具备低正向导通压降和快速反向恢复特性,有助于提升电源转换效率并减少热损耗。TF202E5-TL-E封装于紧凑的SOD-523小型化封装中,适合高密度PCB布局,特别适用于便携式电子设备和空间受限的应用场合。其额定最大重复反向电压为20V,平均正向整流电流为150mA,适合低电压、低功耗系统使用。器件符合RoHS环保标准,并通过无卤素认证,满足现代电子产品对环境友好材料的要求。由于其出色的开关性能和稳定性,TF202E5-TL-E在消费类电子、通信设备和工业控制模块中均有广泛应用。
类型:肖特基势垒二极管
配置:共阴极双二极管
最大重复反向电压(VRRM):20V
最大直流阻断电压(VR):20V
平均整流电流(IO):150mA
峰值浪涌电流(IFSM):500mA
正向压降(VF):典型值450mV(在100mA条件下)
反向漏电流(IR):最大值200μA(在20V下,25°C)
反向恢复时间(trr):≤ 4ns
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +125°C
存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
封装形式:SOD-523
安装类型:表面贴装(SMT)
TF202E5-TL-E的核心优势在于其优异的高速开关能力和低功耗特性。作为一款肖特基势垒二极管,它利用金属-半导体结而非传统的PN结,从而显著降低了正向导通电压,通常在100mA电流下仅为450mV左右,远低于普通硅二极管的700mV水平。这种低VF特性意味着在导通状态下能量损耗更小,有助于提高整体电源效率,尤其是在电池供电设备中可延长续航时间。此外,由于没有少数载流子存储效应,该器件表现出极短的反向恢复时间(trr ≤ 4ns),使其非常适合用于高频整流、DC-DC转换器输出端的续流或箝位电路,能有效减少开关噪声和电压尖峰。
该器件采用共阴极双二极管结构,允许两个独立的肖特基二极管共享一个公共阴极端子,常用于双路输出整流或电压隔离逻辑电路中。SOD-523封装具有极小的占板面积(约1.2mm x 0.8mm),高度低至0.6mm以下,便于实现自动化贴片生产,适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间要求严苛的产品。同时,器件具备良好的热稳定性和可靠性,在-55°C至+125°C的工作结温范围内性能保持稳定,确保在恶劣环境下的长期运行。所有电气参数均经过严格测试,符合JEDEC标准,且产品通过AEC-Q101可靠性认证的部分等级,适合汽车电子辅助系统的应用需求。
TF202E5-TL-E主要应用于需要高效、高频整流的小功率电源系统中。常见用途包括便携式消费电子产品中的DC-DC转换器续流二极管、锂电池充电管理电路中的防反接保护元件、USB接口的瞬态电压抑制与极性保护、以及各类微控制器I/O引脚的信号箝位电路。在通信模块中,该器件可用于射频前端偏置电路或低噪声电源路径中的隔离二极管,防止电流倒灌影响敏感电路。此外,在工业传感器、智能电表和LED驱动电源中,TF202E5-TL-E也常被用作输出整流或反向电压保护元件。由于其快速响应特性,还可用于高频脉冲整流和采样保持电路中,提升系统动态响应能力。在汽车电子领域,如车载信息娱乐系统、车身控制模块和车内照明电源中,该器件凭借其小型化封装和高可靠性,成为理想选择。总之,凡是在低电压、小电流、高频率环境下需要高效整流或快速开关功能的场合,TF202E5-TL-E都能提供稳定可靠的解决方案。
RB751S-40T1G
PMDS302D,115
BAT54CWS
AO3401