时间：2025/4/28 9:32:33
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TF200P02L是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效能功率转换和开关的应用场景。TF200P02L采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，从而有效降低了功率损耗并提高了系统的整体效率。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：4.1A
导通电阻：0.2Ω
栅极电荷：35nC
总电容：720pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 低导通电阻设计，可显著降低传导损耗。
2. 快速开关性能，有助于减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 具备出色的热稳定性和可靠性，适用于恶劣环境。
5. 小型封装设计，节省PCB空间。
1. 开关电源中的功率转换。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的电源管理。
5. LED驱动器和其他高效能应用。
IRFZ44N
STP16NF50
FQP18N20
