时间：2025/6/21 2:53:48
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TF190P06N是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率管理应用。该器件采用先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和高效率的能量转换。其设计适用于各种需要高效能和低功耗的电路，如开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等。
TF190P06N属于N沟道增强型MOSFET，具有出色的开关特性和热稳定性，能够在广泛的电压和电流范围内工作。它还具备良好的短路耐受能力和抗干扰性能，确保在复杂的工作环境下保持稳定运行。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：23A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：45nC
总电容：1380pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
1. 超低导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力，适合大功率应用场景。
3. 快速开关速度，减少开关损耗，提升动态性能。
4. 宽工作温度范围，支持极端环境下的可靠运行。
5. 具备优异的短路保护功能，提高系统的安全性和耐用性。
6. 稳定的电气特性和低噪音表现，适合对信号质量要求较高的应用。
7. 封装坚固耐用，便于散热和安装。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动和控制电路中的功率输出级。
4. 电池管理系统（BMS）中的充放电保护和负载切换。
5. 各类工业设备中的功率管理和能量转换模块。
6. 可再生能源系统中的逆变器和功率调节装置。
7. 汽车电子中的负载开关和电机控制。
IRFZ44N
STP20NM60
FDP190N06L
