时间：2025/5/7 13:47:54
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TF140N06N是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高频开关和功率转换应用，能够提供低导通电阻和快速开关性能。其封装形式通常为TO-252或DPAK，适合表面贴装技术（SMT），从而节省空间并提高散热效率。
TF140N06N具有高击穿电压、低漏电流以及良好的热稳定性，非常适合用于DC-DC转换器、电机驱动、电源管理模块等场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：14A
导通电阻（典型值）：8.5mΩ
栅极电荷：29nC
输入电容：770pF
总功耗：1.3W
工作结温范围：-55℃ to +175℃
1. 采用先进的制造工艺，保证了低导通电阻和高效率。
2. 快速开关速度，降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的可靠性。
4. 符合RoHS标准，环保且无铅。
5. 封装紧凑，适合表面贴装应用。
6. 具备优异的热稳定性和电气性能。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动电路
4. 负载切换与保护
5. 电池管理系统
6. 工业控制中的功率转换
IRFZ44N, FQP14N06L, AO3400
