时间：2025/5/29 21:59:49
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TF100N02 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻和高效率的特点，适合于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。
该 MOSFET 的额定电压为 200V，能够承受较高的漏源电压，同时其连续漏极电流能力可达 100A（在特定的散热条件下）。由于其出色的动态性能和低开关损耗，TF100N02 成为许多高性能功率电子电路的理想选择。
最大漏源电压：200V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：100A
导通电阻：30mΩ（典型值）
栅极电荷：35nC（典型值）
输入电容：1200pF（典型值）
总功耗：300W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 高耐压能力，最大漏源电压达 200V。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，典型值为 30mΩ，有助于降低传导损耗。
3. 快速开关特性，栅极电荷低至 35nC，适合高频应用。
4. 热稳定性好，能够在高温环境下长期运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保设计。
6. 提供多种封装选项以满足不同散热需求。
7. 内置雪崩能量保护功能，提升可靠性。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 工业设备中用于负载切换和功率管理。
4. 新能源系统中的逆变器和电池管理系统 (BMS)。
5. 汽车电子中的辅助功率模块。
6. 高效 LED 驱动电路中的开关元件。
IRFZ44N, FQP18N20, STP100N2L
