时间：2025/6/11 19:22:24
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TF080P04N是一款基于硅材料的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率开关的应用场景中。其出色的导通电阻和低栅极电荷特性使其成为高效率功率管理的理想选择。
TF080P04N采用TO-252封装形式，能够提供较高的电流承载能力，同时具备良好的热性能。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：4.1A
导通电阻：130mΩ
栅极电荷：17nC
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-252
TF080P04N具有较低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。
其低栅极电荷设计可以有效降低开关损耗，从而实现更高的开关频率。
此外，该器件具备快速的开关速度和优秀的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
该MOSFET还具有内置的ESD保护功能，增强了在实际应用中的可靠性。
该芯片适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器的同步整流或降压/升压电路。
3. 各类电机驱动应用，例如步进电机、无刷直流电机等。
4. 负载开关和电池保护电路。
5. 汽车电子系统中的负载控制与保护模块。
IRFZ44N
FDP069N08
STP4NB60Z
