时间：2025/5/7 12:16:16
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TF080N10NG 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用中。该器件采用 TO-252 封装，具有低导通电阻和高效率的特点，适合于需要高频开关和低损耗的应用场景。
这款 MOSFET 的设计使得它能够在较高的工作频率下保持良好的性能，同时它的高雪崩击穿能力和较低的反向恢复电荷也使其非常适合在严苛环境下使用。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
最大连续漏电流：8A
最大脉冲漏电流：32A
90mΩ
栅极电荷（典型值）：10nC
输入电容（典型值）：470pF
开关时间：ton=16ns, toff=25ns
TF080N10NG 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，从而减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，适用于高频电路设计。
3. 较高的雪崩击穿能力，能够承受过载或短路条件下的能量冲击。
4. 小巧的 TO-252 封装形式，便于安装和散热管理。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 稳定的工作性能，确保长时间运行下的可靠性。
7. 在宽温度范围内表现出色，适合工业级及消费类电子设备使用。
TF080N10NG 广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或主开关。
3. 电池管理系统中的负载开关或保护元件。
4. 各类电机驱动电路中的功率级开关。
5. LED 照明驱动中的恒流控制元件。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输开关。
其高效的开关特性和低功耗表现使其成为许多高密度、高性能设计的理想选择。
IRF840, K1008N3, FDN337N
