时间：2025/5/20 20:10:58
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TF075N03L 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它广泛应用于各种功率转换电路中，例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及电源管理模块等。
TF075N03L 的封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，具体取决于制造商的设计选择。这款器件能够承受较高的漏源电压，并提供较低的导通电阻以减少功率损耗。
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：75A
导通电阻(Rds(on))：3mΩ
功耗(Pd)：180W
工作温度范围(Topr)：-55℃ 至 +150℃
TF075N03L 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 高瞬态浪涌能力，适用于要求苛刻的应用环境。
3. 快速开关速度，减少开关损耗，适合高频应用。
4. 优异的热稳定性，确保在高温环境下也能可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 封装坚固耐用，便于安装和散热设计。
这些特点使得 TF075N03L 成为高性能功率系统中的理想选择。
TF075N03L 可用于多种电力电子领域：
1. 开关电源(SMPS) 和 AC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统，如电池管理系统(BMS) 和车载充电器(OBC)。
4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。
其强大的电流承载能力和高效能量传输使其成为上述应用场景的理想解决方案。
IRFZ44N
STP75NF03L
FDP077N03L
