时间：2025/4/27 9:53:48
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TF070N04MG 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性，广泛适用于各种功率转换和开关应用。其封装形式通常为 TO-252 或 DPAK，能够承受较高的电压和电流，同时具备良好的电气性能。
型号：TF070N04MG
类型：N 沟道增强型 MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：40V
Rds(on)（导通电阻）：7mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
Id（持续漏极电流）：36A
Vgs（栅源极电压）：±20V
功耗：115W
封装：TO-252 / DPAK
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
TF070N04MG 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够显著降低传导损耗并提高效率。
2. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下提供更高的可靠性。
3. 快速开关特性，适合高频开关应用。
4. 紧凑型封装设计，节省 PCB 空间。
5. 支持大电流操作，适用于高功率场景。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺。
这些特点使 TF070N04MG 成为电机驱动、DC-DC 转换器、电源管理和负载开关等应用的理想选择。
该 MOSFET 可用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 工业设备中的电机控制和驱动电路。
3. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
4. 通信设备中的高效电源管理。
5. 家用电器及消费类电子产品中的功率管理模块。
由于其高性能和可靠性，TF070N04MG 在需要高效率和紧凑设计的应用中表现尤为突出。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP5500
AO3400
