您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > TF060P04N

TF060P04N 发布时间 时间:2025/5/23 4:52:50 查看 阅读:16

TF060P04N是一款基于硅材料制造的N沟道功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等领域。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流承受能力,能够有效降低功耗并提升系统效率。其封装形式通常为TO-220,适合高功率密度的应用场景。
  该型号在设计上注重散热性能,同时具备良好的电气特性和可靠性,是现代电力电子设备中常用的功率半导体器件。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:4A
  导通电阻:40mΩ
  栅极电荷:15nC
  开关时间:ton=38ns, toff=15ns
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

TF060P04N具有低导通电阻,可显著减少传导损耗,从而提高整体效率。此外,该器件还拥有快速开关速度,能够适应高频应用环境,减少开关损耗。
  其优化的热性能使得器件在高负载条件下依然保持稳定运行,而坚固的设计则保证了长期使用的可靠性和一致性。此外,该型号还支持较宽的工作温度范围,适用于各种严苛的工业和汽车环境。

应用

TF060P04N主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电池管理与保护电路
  4. 电机驱动控制
  5. 负载开关
  6. 逆变器和UPS系统
  由于其出色的性能表现,这款MOSFET非常适合需要高效能量转换和精确电流控制的应用场景。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5570
  STP40NF06L

TF060P04N推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价