时间：2025/5/28 18:21:22
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TF050N06MG是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用中。其设计旨在提供高效率和低导通电阻，从而降低功耗并提高系统性能。
TF050N06MG采用TO-220封装形式，适合高电流和高散热需求的应用场景。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：50A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：78nC
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 超低导通电阻，有助于减少功率损耗。
2. 高电流承载能力，适用于大功率应用。
3. 快速开关特性，支持高频操作。
4. 符合RoHS标准，环保且可靠。
5. 优秀的热稳定性，确保在高温环境下长期稳定运行。
6. 具备过流保护和短路耐受能力，提高系统安全性。
1. 开关电源中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流管。
3. 电机驱动中的功率开关。
4. 汽车电子系统中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制元件。
6. 各类高压、大电流电路中的功率管理组件。
IRF540N
STP55NF06L
FDP55N06L
