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TF050N06MG 发布时间 时间:2025/5/28 18:21:22 查看 阅读:6

TF050N06MG是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用中。其设计旨在提供高效率和低导通电阻,从而降低功耗并提高系统性能。
  TF050N06MG采用TO-220封装形式,适合高电流和高散热需求的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:78nC
  开关速度:快速开关
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

1. 超低导通电阻,有助于减少功率损耗。
  2. 高电流承载能力,适用于大功率应用。
  3. 快速开关特性,支持高频操作。
  4. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  5. 优秀的热稳定性,确保在高温环境下长期稳定运行。
  6. 具备过流保护和短路耐受能力,提高系统安全性。

应用

1. 开关电源中的主开关管。
  2. DC-DC转换器中的同步整流管。
  3. 电机驱动中的功率开关。
  4. 汽车电子系统中的负载开关。
  5. 工业自动化设备中的功率控制元件。
  6. 各类高压、大电流电路中的功率管理组件。

替代型号

IRF540N
  STP55NF06L
  FDP55N06L

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