时间：2025/5/22 10:00:20
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TF050N04NG 是一款 N 沣道绝缘栅双极晶体管（N-FET IGBT），主要用于高频开关应用和功率转换。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通损耗和快速开关性能，适用于工业、汽车和消费类电子设备中的功率控制场景。
IGBT 结合了 MOSFET 和双极型晶体管的优点，能够提供高电流处理能力和低开关损耗，同时保持易于驱动的特性。
最大集电极-发射极电压：450V
最大集电极电流：50A
最大栅极-发射极电压：±20V
导通压降（Vce(sat)）：1.7V（典型值，在指定条件下）
开关时间：开通时间 75ns，关断时间 95ns
工作结温范围：-40℃ 至 150℃
TF050N04NG 提供了卓越的功率密度和效率表现，其主要特性如下：
1. 低导通压降有助于减少功率损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度使其适合高频应用，如开关电源和逆变器。
3. 高可靠性设计，可在恶劣环境下长期稳定运行。
4. 短路耐受能力增强，提高了系统的安全性和鲁棒性。
5. 封装形式为行业标准 TO-247，便于安装和散热管理。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 工业逆变器和变频器
2. 开关电源（SMPS）
3. 新能源领域，如太阳能逆变器和风力发电
4. 电动汽车和混合动力汽车中的电机控制器
5. 不间断电源（UPS）和其他高性能功率转换设备
FGH50N04SMD, IRGB50UD120, FZ50N04MR2
