时间：2025/5/7 21:34:42
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TF050N04MG 是一款 N 沣道通体 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率控制、开关电源和电机驱动等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。
这款芯片特别适合用于负载开关、DC-DC 转换器、电池保护电路等应用中，其优异的电气特性可以显著降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：50A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：15nC
总电容：1800pF
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
TF050N04MG 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效减少传导损耗，提高整体效率。
2. 高额定电流能力，支持高达 50A 的连续漏极电流，确保在大电流场景下的稳定运行。
3. 快速开关性能，具备较低的栅极电荷和输出电容，有助于实现高频操作。
4. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，适应各种极端环境条件。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的桥式配置或半桥拓扑。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的保护与充放电控制。
4. 工业自动化设备中的负载开关和功率调节。
5. LED 驱动器和其他高性能功率管理解决方案。
IRFZ44N
FDP5570
STP50NF06L
