TF050N03M是一款由泰科天润半导体生产的碳化硅(SiC) MOSFET功率器件。该芯片采用先进的SiC材料制造,具备出色的开关特性和耐高温性能,广泛应用于高频、高效能的电力电子设备中,如新能源汽车充电桩、光伏逆变器和工业电源等。其封装形式通常为TO-247或TO-263,适合表面贴装或插件安装。
电压等级:650V
连续漏极电流:50A
导通电阻:3mΩ
栅极阈值电压:3V~6V
开关频率:最高可达1MHz
工作温度范围:-55℃~+175℃
封装形式:TO-247, TO-263
TF050N03M的主要特性包括高效率、低开关损耗和良好的热稳定性。由于使用了碳化硅材料,这款MOSFET具有更低的导通电阻和更高的开关速度,能够显著减少能量损耗并提高系统的整体效率。
此外,它还具有较高的雪崩耐量和短路耐受能力,能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。与传统的硅基MOSFET相比,TF050N03M在高频应用中的表现更为优异,同时支持更紧凑的设计方案。
TF050N03M适用于多种高功率密度场景,包括但不限于以下领域:
1. 新能源汽车充电桩
2. 光伏逆变器
3. 工业电机驱动
4. 不间断电源(UPS)
5. 服务器电源
6. 高频DC-DC转换器
这些应用得益于其高效的电能转换能力和稳定的运行性能。
C2M0065065D, SCT20N65, FCP150N06L