时间：2025/4/30 17:49:23
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TF040N06MG 是一款 N 沣道通半导体生产的沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）。该型号属于 N 沝道 MOSFET，主要应用于高频开关电源、电机驱动器、DC-DC 转换器等需要高效功率转换的场合。其设计特点包括低导通电阻和高开关速度，适用于要求高性能和效率的应用场景。
该器件采用了先进的工艺技术，能够在较高的电流负载下保持较低的功耗，并且具备良好的热性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：40A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：28nC
开关时间：ton=15ns, toff=18ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
TF040N06MG 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高开关速度设计，减少了开关损耗，适合高频应用。
3. 较小的栅极电荷，有助于减少驱动损耗。
4. 工作温度范围宽广，能够在极端环境下可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅封装。
6. 提供强大的过流保护功能，确保在异常情况下的安全运行。
TF040N06MG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动电路
3. DC-DC 转换器
4. 电动工具及家电驱动
5. 太阳能逆变器
6. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制
7. 各类工业自动化设备中涉及功率管理的场合
IRFZ44N
STP40NF06L
FDP55N06L
