TF040N04MG 是一款高性能的 N 沱场效应晶体管(N-Channel MOSFET),广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功耗并提高系统效率。
其封装形式为 TO-252(DPAK),适合表面贴装技术(SMT),从而满足现代电子产品对小型化和高可靠性的要求。
最大漏源电压:40V
最大栅源电压:±10V
连续漏极电流:16A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ(典型值,Vgs=10V)
总功耗:17W
结温范围:-55℃ 至 +150℃
输入电容:980pF
开关时间:开启延迟时间 12ns,关断下降时间 28ns
TF040N04MG 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,特别适用于高效率电源转换场景。
2. 快速开关速度,支持高频应用,减少磁性元件体积,进一步优化设计成本。
3. 高电流承载能力,使得该器件在大功率应用中表现优异。
4. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
5. 提供出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持良好的性能。
该芯片适用于多种领域,包括但不限于以下场景:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器或主开关。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. LED 照明驱动电路。
5. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
6. 消费类电子产品的电池充电管理电路。
IRLZ44N, FDP16N04L, AO4404