时间：2025/5/24 14:10:18
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TF035N10NG 是一款由台湾制造商生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于高效率的功率转换电路。
该型号采用 TO-252 封装形式，能够承受较高的漏源电压和栅源电压，并具备良好的热性能和电气特性。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：40mΩ
总功耗(Pd)：115W
工作温度范围(Tj)：-55°C to +150°C
1. TF035N10NG 具有低导通电阻 (Rds(on))，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的效率。
2. 支持高开关频率操作，适合高频开关电源设计。
3. 器件内置反向恢复二极管，可有效降低开关切换时的电压尖峰。
4. 采用 TO-252 封装，提供优秀的散热性能和机械稳定性。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺生产。
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. 直流/直流转换器 (DC-DC Converter)
3. 电池保护电路
4. 电机驱动与控制
5. 负载开关及过流保护
6. 照明系统中的 LED 驱动电路
